Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую равновесному состоянию, покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение, укажите порядок величины результирующего тока.

1.Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания.

2.Начертите заданную схему включения p-n перехода с указанием на ней запирающего слоя, направления движения основных и неосновных носителей заряда.

3.Укажите приблизительную величину результирующего тока, протекающего через p-n переход в заданном состоянии.

По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику, укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр.

Ответ должен содержать:

1. 
   таблицу с выписанным заданием своего варианта;
   
2. 
   расшифровку маркировки заданного типа диода;
   
3. 
   запись определения данного типа диода;
   
4. 
   краткий ответ, какое свойство p-n перехода используется в этом типе диода;
   
5. 
   типовую характеристику;
   
6. 
   схему включения;
   
7. 
   область применения;
   
8. 
   ответ о физическом смысле и расчет заданного параметра.
   

Вариант	Марка диода	Параметр диода
8	ГИ 307А	,если дано:=14мА; =2мА; =0,22В; =0,62В

1. 
   Приведите задание и таблицу с вашим вариантом задания.
   
2. 
   Пользуясь справочником, разберитесь в системе принятых обозначений полупроводниковых диодов. Расшифруйте маркировку заданного диода.
   
3. 
   Определив по маркировке тип заданного диода, приведите запись определения данного диода.
   
4. 
   Разберитесь в принципе действия рассматриваемого диода. Приведите схему включения диода.
   

6. 
   Приведите характеристику рассматриваемого диода. На ней выделите рабочий участок.
   
7. 
   Укажите область применения заданного типа диода.
   
8. 
   Объясните физический смысл заданного параметра и приведите формулу его расчета.
   

По справочнику выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта.

Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного параметра.

Ответ должен содержать:

1. 
   Таблицу с выписанным заданием своего варианта.
   
2. 
   Таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными.
   
3. 
   Запись определения биполярного транзистора
   
4. 
   Заданную схему включения транзистора.
   
5. 
   Запись о том, какие токи и напряжения являются для данной схемы входными и выходными.
   
6. 
   Особенности данной схемы включения.
   
7. 
   Входную и выходные характеристики транзистора, включенного с ОЭ.
   
8. 
   Расчет и построение нагрузочной прямой с обозначением на выходных характеристиках величин:;;; ; =/
   
9. 
   Данные режима работы транзистора.
   
10. 
    Таблицу расчета линии допустимых режимов, построение этой линии на выходных характеристиках, вывод о допустимости работы транзистора в заданном режиме.
    
11. 
    Обозначение на выходных характеристиках транзистора областей насыщения и отсечки.
    
12. 
    Ответ о физическом смысле заданного параметра.
    
13. 
    Расшифровку маркировки заданного транзистора.
    

вариант	Условия выбора транзистора	Схема включения и режим работы транзистора	Данные для построения нагрузочной прямой					Параметр
8	=7,5МГц Наибольшее	С ОБ, режим активный, динамический	50В		0,4мА		17В

1. 
   Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания. Некоторые графы этой таблицы окажутся незаполненными. После решения задачи и нахождения всех значений недостающих величин заполнять пустые клетки не требуется.
   
2. 
   Для выбора транзистора следует использовать справочник. Нужно отыскать все транзисторы с заданной . Затем из этой группы выбрать тот единственный, который удовлетворяет второму условию выбора. Выбрав транзистор, приведите таблицу с его справочными данными по форме:
   

   Тип транзистора	Структура транзистора	МГц	Вт	В	A	min	max

3. 
   Запишите определение биполярного транзистора
   
4. 
   Начертите схему, соответствующую режиму работы и схему включения биполярного транзистора.
   
5. 
   В соответствии со схемой включения транзистора запишите, какие токи и напряжения являются входными, какие – выходными.
   
6. 
   Приведите особенности схемы включения, проанализировав эту схему по ряду показателей: , , , , . Дайте качественную и количественную характеристику этим показателям.
   
7. 
   Постройте входную и выходную характеристики транзистора, используя справочник.
   
8. 
   Построить нагрузочную прямую транзистора, используя уравнение нагрузочной прямой: =-·. Обязательно приведите пояснение построения нагрузочной прямой: по каким точкам построена, координаты этих точек, расчет координат.
   
9. 
   Имея положение рабочей точки на выходных характеристиках перенести её на входную характеристику при 0. Определите координаты рабочей точки.
   
10. 
    Построить линию допустимых режимов работы транзистора, используя соотношение ·=. По графику сделайте вывод о допустимости использования заданного режима работы транзистора.
    
11. 
    В импульсных и вычислительных устройствах транзисторы используются в режимах отсечки и насыщения.
    
12. 
    Поясните физический смысл заданного параметра.
    
13. 
    Расшифруйте маркировку транзистора.
    

При решении задач нужно иметь в виду, что обычно расчет сопротивлений резисторов и параметров других элементов производится с точностью порядка нескольких процентов. Поэтому после расчета следует округлять результат, оставляя не более двух-трех значащих цифр. По той же причине часто при расчете можно пользоваться упрощенными формулами. Например, при расчете режимов работы транзисторов, можно пренебречь напряжением между базой и эмиттером по сравнению с напряжением источника питания (в случае открытого транзистора). Точно так же можно полагать, что в режиме насыщения транзистора напряжение между коллектором и эмиттером равно нулю. Обычно оно бывает порядка 0,1В, и им чаще всего можно пренебречь по сравнению с напряжением источника питания. При расчетах транзисторных схем можно так же считать, что коллекторный ток транзистора практически не зависит от напряжения на коллекторе и равен произведению тока базы на коэффициент передачи тока из базы в коллектор. При этом статический коэффициент передачи тока для больших сигналов считают равным коэффициенту передачи тока для малых сигналов

В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальное смещение базы в режиме покоя задается током резистора . Даны параметры , и . Рассчитать значение так чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было задано напряжение .

Вариант	Данные к задаче 4
	,кОм	,В		,В
18	8,6	14	55	7,5

В схеме транзисторного ключа даны сопротивление резистора и значение параметра транзистора, а так же напряжение питания . Рассчитать значение так, чтобы в отсутствии входных сигналов транзистор находился в насыщении с коэффициентом насыщения . Найти ток коллектора

Вариант	Данные к задаче 5
	,кОм	,В		,В
18	4,5	30	2,8	8,4

Что такое физический уровень Ферми? Запишите функцию Ферми.

Начертите структурную схему полевого транзистора с p-n переходом и с каналом n-типа. Поясните принцип его работы?