Перейти на главную страницу
“Исследование резисторного каскада на биполярном транзисторе”
Состояние, в котором находится усилительный элемент (УЭ), в нашем случае транзистор, при отсутствии на его входе усиливаемого сигнала, называется состоянием покоя. Постоянные токи и напряжения в состоянии покоя определяют на входной и выходной статических характеристиках точку покоя [1,2] (или согласно [3] исходную рабочую точку). Положение точки покоя характеризует режим работы усилительного элемента по постоянному току.
Цепи питания должны удовлетворять двум основным требованиям:
на входных а) и выходных б) статических характеристиках.
дифференциальных параметров транзистора в первую очередь const и
=
Uкэ=const. Это изменение может быть ослаблено с помощью обратной связи (ОС) на переменном токе.
_________________________________________________________________
Рис.3 Схема цепи питания с эмиттерной стабилизацией
Вытекая из эмиттера эти два тока, образуют эмиттерный ток IОЭ=IОК+IОБ. Кроме этих токов в схеме протекает постоянный ток через
последовательно соединённые резисторы RБ1 и RБ2. Этот ток принято называть током делителя IД. Так как питание транзистора осуществляется от одного источника питания ЕК, напряжение на базу транзистора подается с делителя напряжения на резисторах RБ1 и RБ2 , а именно с резистора RБ2.
Ток эмиттера IОЭ, протекающий через резистор RЭ, создаёт на нём падение напряжения UЭ=IОЭ·RЭ.
Ток делителя создаёт на сопротивлении RБ2 падение напряжения URБ2=IД·RБ2. Это напряжение соответствует напряжению между базой и общим проводом UБ. В результате напряжение смещения база-эмиттер UОБ=UБ – UЭ=IД·RБ2–IОЭ·RЭ.
Необходимое напряжение смещения UОБ получают за счёт выбора соответствующих элементов делителя и сопротивления резистора RЭ. Обычно выбором RБ1 и RБ2 устанавливают ток делителя IД>>IОБ. Ток IД=(5…10)IОБ даёт право считать напряжение на базе транзистора фиксированным UБ=IД·RБ2=const.
Динамика процесса стабилизации в рассматриваемой схеме заключается в следующем.
Если под действием какого-либо дестабилизирующего фактора увеличивается ток коллектора IОК↑, то он вызывает рост эмиттерного тока IОЭ↑,
это приводит к увеличению падения напряжения на резисторе RЭ.
UЭ↑=IОЭ↑·RЭ,
увеличение напряжения на эмиттере UЭ↑ до U'Э =UЭ+∆UЭ при
неизменном напряжении UБ приводит к уменьшению смещения
уменьшение смещения на базе UОБ↓ вызывает уменьшение
базового тока IОБ↓,
уменьшение базового тока IОБ↓ приводит к уменьшению тока
коллектора IОК↓.
Краткая запись такого процесса: IОК↓→IОЭ↓→ UЭ↓→UОБ↑→IОБ↑→IОК↑.
Здесь наблюдаются два воздействия на ток коллектора: прямое, от дестабилизирующих факторов, и обратное - по цепи ОС. Обратите внимание на направления стрелок при IОК. Происходит автоматическая стабилизация тока покоя коллектора IОК.
Высокая стабильность достигается при глубокой ОС. Для этого следует строить звено базового делителя с меньшим номинальным значением сопротивлений RБ1 и RБ2, а в эмиттерной цепи использовать сопротивления RЭ с большими номинальными значениями. К сожалению, сопротивления базового делителя нельзя задавать слишком маленькой величины, так как это приведёт к уменьшению коэффициента усиления, входного сопротивления, и увеличению потребляемой мощности, а RЭ нельзя выбирать слишком большой величины, так как на нём теряется часть напряжения источника питания. Известна рекомендация [4]
RБ=RЭ · h21/10, (1)
где RБ - параллельное соединение RБ1 и RБ2 .
Для анализа стабилизирующих свойств схемы (рис.3) вспомним теорему об эквивалентном генераторе. Заменим принципиальную схему эквивалентной, показанной на рис.4. В соответствии с теоремой Тевенина [6]
ЕБ=ЕК·RБ2/(RБ1 + RБ2), (2)
RБ=RБ1·RБ2/ (RБ1 + RБ2).
Рис.4 Схема с эмиттерной стабилизацией, преобразованная по Тевенину.
Для схемы, приведённой на рис4., можно написать равенство
ЕБ=IОБ·RБ + UОБ + IОЭ·RЭ.
При нормальной температуре в известном соотношении ίК= ίБ · h21 + IКЭО [7] можно пренебречь обратным током эмиттера IКЭО. Тогда ток покоя коллектора IОК=h21·IОБ.
Выражая ток эмиттера через ток базы IОЭ= IОБ(1+h21), получаем
IОБ=(EБ – UОБ)/[RБ+(1+h21)·RЭ] , (3)
IОК=h21(EБ – UОБ)/[RБ +(1+h21)RЭ] . (4)
Существует два варианта анализа схемы автоматического смещения для определения положения точки покоя.
Он достаточно прост, проводится при минимальном использовании математического аппарата и знаний о параметрах транзистора, базируется только на представлении о напряжении база–эмиттер UОБ (для кремниевых транзисторов 0,7В, для германиевых транзисторов 0,4В).
Для схемы рис.5 определить значения токов покоя IОБ, IОК, IОЭ и напряжение покоя коллектор–эмиттер UОК при указанных на этом рисунке данных.
Резисторы RБ1 и RБ2 образуют делитель напряжения питания EК и определяют напряжение на базе UБ.
Без учета тока базы UБ=EК·RБ2/(RБ1+RБ2)=12В·10кОм/(51+10)кОм=1,967В,
Напряжение на эмиттере: UЭ=UБ – UОБ= (1,967– 0,7)В = 1,267В.
Теперь можно найти токи IОЭ и IОК:
IОЭ=UЭ/RЭ=1,267В/0,68кОм=1,86мА,
IОЭ≈IОК=1,86мА.
Напряжение на коллекторе (относительно общего провода):
UК=ЕК–IОКRК=12В – 1,86мА ·2кОм=8,28В.
Напряжение между коллектором и эмиттером (рис. 3):
UОК=UК – UЭ = 8,28В – 1,267В ≈7В.
Вариант 2. Точный анализ.
Он базируется на уравнении Тевенина и более сложен, однако учитывает, что ток базы имеет место и создаёт падение напряжения на резисторе RБ1, а также то, что в схеме могут быть разные транзисторы с неодинаковыми параметрами h21.
Повторить анализ схемы рис.5, используя эквивалентную схему рис.4 приняв h21=100
Сначала применяем уравнения Тевенина (2) для цепи базы:
ЕБ=ЕкRБ2/(RБ1+RБ2)=12В ·10кОм/(51+10)кОм=1,967В,
RБ=RБ1 · RБ2/ (RБ1 + RБ2) =51кОм · 10кОм/ (51+10) кОм=8,36кОм.
Теперь можно провести анализ схемы, используя (3)
IОБ= (ЕБ – UОБ)/ [RБ + (1+ h21) RЭ].
При h21=100
IОБ=(1,967 – 0,7)В/[8,36 + (1+100)·0,68]кОм=16,44мкА,
IОК=IОБ · h21=16,44мкА · 100=1,644мА,
UОК=EК – IОК ·RК – IОЭ·RЭ =EК – IОК ·[RК+RЭ·(1+h21)/h21]=
=12В–1,644мА·[2+(101/100)·0,68]кОм=7,583В.
Определение сопротивлений цепей питания по заданной точке покоя
Этот расчёт производится в следующем порядке:
1. Выбираем напряжение источника питания ЕК и сопротивление коллекторной нагрузки RК.
2. Задаёмся напряжениями на эмиттере и коллекторе.
Напряжение на эмиттере обычно составляет 10–20% от ЕК. Напряжение на коллекторе обычно выбирается равным ЕК/2 или немного больше (например среднее значение между EК и UЭ). Падение напряжения на RЭ должно быть больше возможных изменений напряжения UБЭ, но не настолько большим, чтобы заметно уменьшить амплитуду выходного сигнала. Для напряжения на коллекторе имеет место условие UЭ <UК< ЕК, в то время как при отсутствии RЭ UК < ЕК.
3. Исходя из заданных значений, определяем RЭ.
4. Выбираем приемлемое значение h21 транзистора.
5. Используя соотношение (2), определяем RБ и ЕБ.
6. Преобразовав выражения для RБ и ЕБ получаем RБ1 =RБ·ЕК/ЕБ,
RБ2=RБ/(1–ЕБ/ЕК).
Пример 3
Рассчитать схему с автоматическим смещением подобную схеме рис.5, если ЕК=12В, RК=2кОм, а h21=150.
Решение:
Сначала определяем значение UК. Допустим что, UК=9В. Тогда падение напряжения на RК равно URK = ЕК – UК=12В– 9В=3В.
Теперь проведём расчёт тока покоя коллектора:
IОК=URК/RК=3В/2кОм=1,5мА.
Ток покоя эмиттера:
IОЭ= IОК ·(1+h21)/h21=1,5мА(101/100)=1,515мА.
Ток покоя базы:
IОБ=IОК/h21=1,5мА/150=10мкА.
Выбрав напряжение эмиттера UЭ=1,7В, определяем напряжение покоя коллектор–эмиттер UОК=UК–UЭ=9В–1,7В=7,3В и сопротивление RЭ=UЭ/IОЭ= 1,7В/1,515мА=1,12кОм.
Согласно рекомендациям (1) RБ=RЭh21/10=1,12кОм · 150/10=16,8кОм
ЕБ=UЭ + UОБ + IОБRБ=1,7В + 0,7В + 10мкА · 16,8кОм = 2,568В,
RБ1= RБЕК/ЕБ = 16,8кОм 12В/2,568В = 56кОм,
RБ2 = RБ/ (1–ЕБ/ЕК) = 16,8кОм/ (1–2,568В/12В) = 13,2кОм.
Точка покоя в плоскости входных статических характеристик iБ=f(uБ) определена. Её координаты UОБ = 0,7В, IОБ =10мкА.
В плоскости выходных статических характеристик iк=f(uк)
точка покоя имеет координаты UОК=7,3В, IОК=1,5мА.
Пример 4
Рассчитать схему с эмиттерной стабилизацией (рис.3) на заданную точку покоя (UОК=6В, IОК=2мА) при EК=12В, h21=150
Выбираем напряжение эмиттера UЭ=0,2EК=0,2·12=2,4В
Напряжение UК=UЭ+UОК=2,4+6=8,4В,
Напряжение URК=EК – UК=12–8,4=3,6В.
Сопротивление RК=URК/IОК=3,6В/2мА=1,8 кОм,
RЭ=UЭ/IОЭ≈UЭ/IОК≈2,4В/2мА=1,2кОм.
Рассчитываем сопротивления базового делителя:
RБ=RЭ·h21/10=1,2кОм·150/10=18кОм,
IОБ=IОК/h21=2мА/150=13мкА,
ЕБ=UЭ+UОБ+IОБRБ=2,4В+0,7В+13мкА·18кОм=3,34В,
RБ1=RБ·EК/EБ=18кОм·12В/3,34=64,67кОм,
RБ2=RБ/(1–EБ/EК)=18кОм/(1–3,34/12)=13кОм,
Представленное в виде
оно позволяет понять, что эта зависимость соответствует прямой линии вида y=ах+в. Для построения нагрузочной линии рекомендуется использовать два режима [8]: режим холостого хода IБ=0 и режим короткого замыкания UБ=0
При IБ=0 UБ=ЕБ, и координаты крайней правой точки Х на нагрузочной линии (рис. 1,а) принимают значения (ЕБ ; 0)
При UБ=0 IБ(Y)=EБ/[RБ+(1+h21)·RЭ], тогда координаты крайней левой
точки Y на нагрузочной линии (0; IБ(Y)).
Пример 5
Построить нагрузочную линию на входных статических характеристиках и указать на ней точку покоя по данным примера 3.
Координаты крайней правой точки нагрузочной линии Х (2,568В; 0мкА). При напряжении на базе UБ = 0 получаем ток IБ(Y)=EБ/[RБ+(1+h21)·RЭ]=
=2,568В/[16,8кОм+(1+100)·1,12кОм]=19,76мкА.
Координаты точки Y (0В; 19,76мкА).
мкА
Рис.6 Нагрузочная линия на входных статических характеристиках.
Рисунок 6 иллюстрирует построение нагрузочной линии в плоскости входных статических характеристик. Точка пересечения нагрузочной прямой с входной характеристикой транзистора при заданном UКЭ определяет ток базы и напряжение между базой и эмиттером что соответствует координатам точки покоя А (0,7В; 10мкА), полученным в примере 3.
Особенностью входных статических характеристик является то, что ток базы ίБ слабо зависит от напряжения UКЭ. Это приводит к тому что семейство кривых ίБ=ƒ(UБ) при UКЭ≠0 на практике сливается и превращается в одну линию [8]. В справочниках обычно приводят две кривые: при UКЭ=0 и при UКЭ≠0 (чаще всего это 5B). Естественно, для расчета усилительного каскада используется только одна из них, а именно при UКЭ≠0 (рис. 1,а).
Пример 6
Повторить пример 5 для транзисторов с h211=75 и h212=300.
Координаты точки Y (0В; 25,2мкА), координаты точки Х(2,568В; 0мкА)
Определяем ток покоя базы IОБ=(EБ – UОБ)/[RБ+RЭ·(1+h21)]=
(2,568–0,7)В/[16,8кОм+(1+75)·1,12кОм]=18,3мкА.
Это даёт координаты точки покоя А1 (0,7В; 18,3мкА).
2. h212=300
Координаты точки Y (0В; 7,2мкА), координаты точки Х (2,568В; 0мкА)
Координаты точки покоя А2 (0,7В; 5,3мкА).
IБ,
мкА
UБЭ,В
Рис. 7 Нагрузочные линии на входных статических характеристиках при различных h21
IК= –UОК/[RК+RЭ·(1+h21)/h21] + EК/[RК+RЭ·(1+h21)/h21].
Координаты точки X (рис.1,а) определяются при IК=0, тогда точка Х получает координаты (ЕК; 0). Координаты левой крайней точки Y определяются при UКЭ=0, и они равны ( 0; IК(Y)), где
IК(Y)= ЕК/[RК + RЭ·(1+h21)/h21].
Построить нагрузочную линию в плоскости выходных статических характеристик и указать на ней точку покоя по данным примера 3.
Координаты точки Y (0В, IК(Y)= 12В/[2кОм + 1,12кОм ·101/100] =3,83мА), По данным примера 3 координаты точки покоя А (UОК=7,3В; IОК=1,5мА).
IК,мА
3,83
Рис.8 Нагрузочная линия в плоскости выходных статических характеристик.
Пример 8
Повторить пример 7 для транзисторов с h211=75 и h212=300.
Координаты точки Х (12В; 0мА), координаты точки Y (0В; 3,83мА), так как (1+h21)/h21≈1.
Координаты крайних точек нагрузочной линии практически совпадают с данными примера 7. Ток коллектора можно определять по выражению IК(Y)≈EК/(RК+Rэ).
Координаты точки покоя связаны с током покоя базы IОБ1=18,3мкА из примера 6.
IОК1=IОБ1·h211=18,3мкА ·75=1,37мА,
IОЭ1=(1+h211)IОК1/h211=(1+75) · 1,37мА/75=1,388мА,
UОК=ЕК – [RК ·IОК1 + IОЭ1Rэ]=12В – [2кОм ·1,37мА + 1,388мА ·1,12кОм]=7,7В.
Точка покоя А1 имеет координаты (7,7В ; 1,37мА).
Нагрузочная линия совпадает с другими. Определяем координаты точки покоя:
IОК2=IОБ2 · h212=5,3мкА ·300=1,59мА.
При большом h21 IОК ≈ IОЭ, тогда
UОК2 ≈ ЕК – IОК2 ·(RК + RЭ)= 12В – 1,59мА (2кОм + 1,12кОм) ≈ 7,04В.
Точка покоя А2 имеет координаты (7,04В; 1,59мА).
До сих пор мы строили линии нагрузки для постоянного тока. При подаче переменного сигнала на вход усилителя, кроме постоянного тока, через транзистор и элементы схемы протекает ещё и переменный ток. В подавляющем большинстве случаев пути прохождения переменного тока отличаются от путей прохождения постоянного тока. По этой причине нагрузка переменному току отличается от нагрузки постоянному току, а нагрузочная линия переменному току занимает иное положение, чем нагрузочная линия постоянному току.
Когда сигнал переменного напряжения подан на вход схемы, напряжения и токи изменяются по линии нагрузки для переменного тока. Линия нагрузки для переменного тока должна проходить через точку покоя А (UОК; IОК), но её наклон определяется величиной сопротивления нагрузки переменному току Rн~.
На рис.10 показана принципиальная схема каскада транзисторного усилителя с автоматическим смещением и эмиттерной стабилизацией.
Элемент R1И отражает внутреннее сопротивление источника сигнала e1,
R2Н – сопротивление внешней нагрузки.
Рис.10 Принципиальная схема усилительного каскада с ОЭ.
Входной переменный сигнал e1 поступает на базу транзистора через разделительный конденсатор Ср1, а выходной сигнал U2 поступает в нагрузку через разделительный конденсатор Ср2, который не пропускает постоянную составляющую в R2н. Конденсатор большой емкости СЭ шунтирует эмиттерный резистор для того, чтобы на эмиттере не появилось переменное напряжение. Без СЭ коэффициент усиления упадет из-за отрицательной ОС, поскольку переменное напряжение на резисторе RЭ вычитается из входного сигнала и на вход транзистора б-э поступает меньшее напряжение UБ-Э=UБ – UЭ
Для анализа усилителей на переменном токе используются эквивалентные схемы, в которых все точки, имеющие неизменяемый потенциал по постоянному току, рассматриваются как имеющие нулевой потенциал для переменной составляющей. В области средних частот, на которых и принято строить нагрузочную линию переменному току, влияние конденсаторов на работу схемы можно не учитывать, т.е. можно считать, что все конденсаторы имеют большую ёмкость, являются идеальными и для переменной составляющей представляют короткозамкнутую цепь, а для постоянной составляющей – разомкнутую. Вследствие этого на эквивалентной схеме для переменного тока (рис.11а) R1И соединен с базой, а R2Н – с коллектором транзистора, эмиттер соединён с общим проводом (заземлён) благодаря конденсатору СЭ, который имеет большую величину ёмкости, а следовательно, практически нулевое сопротивление переменному току.
Источники питания постоянного тока обычно обладают большой ёмкостью, которая для переменного сигнала представляет короткозамкнутую цепь. Вследствие нулевого сопротивления источника питания EК переменному току, точка “а” соединяется с общим проводом.
а) б)
Рис.11 Эквивалентная схема для переменного тока усилителя с ОЭ, выполненного по схеме рис.10
Уравнение для нагрузочной линии переменному току может быть получено из алгебраического выражения для наклонной линии вида ү – ү1= m (х –x1), где х1, ү1– точки на линии, а m – её наклон. Для схемы на биполярном транзисторе это уравнение удобно представить в виде IОК –iК1= (UОК – uк1)/Rн~.
Через приращение тока коллектора ∆ίК=IОК–ίК1 выражаем приращение напряжения ∆uК=UОК–uК1 и получаем уравнение нагрузочной линии переменному току ∆ίкRн~ = – ∆uК.
Пример 9
На рис.8 изображена нагрузочная линия постоянному току при RК=2кОм, RЭ=1,12кОм и указана точка покоя А с координатами UОК=7,3В, IОК=1,5мА Построить нагрузочную линию для переменного тока при сопротивлении внешней нагрузки R2Н = 3кОм.
Определяем эквивалентное сопротивление нагрузки выходному переменному току RН~=RК · R2н/(RК + R2н) = 2кОм · 3кОм/(2 + 3)кОм=1,2кОм.
Линия нагрузки переменному току должна проходить через точку покоя А и иметь наклон ∆iК/∆uК = –1/R Н~ .
Выбирая ∆ίК или ∆uК найдём координаты другой точки, через которую пройдёт нагрузочная линия переменному току.
Пусть ∆iк=1мА, тогда ∆uк = –∆ίк · Rн~ = – 1мА · 1,2кОм= – 1,2В
Координаты точки А' на нагрузочной линии переменному току:
I'К=IОК + ∆ίк=1,5мА + 1мА=2,5мА,
U'К=UОК +∆uК=7,3В–1,2В=6,1В.
Вариант 2. Задаем приращение коллекторного напряжения.
Пусть ∆uк=1,2В, тогда ∆ίк= –∆uк/Rн~ = – 1,2В/1,2кОм= – 1мА.
Координаты точки А'':
U''К= UОК + ∆uК=7,3В + 1,2В=8, 5В; І''К = IОК+ ∆ίк=1,5мА – 1,0мА=0,5мА.
Нагрузочную линию переменному току можно провести через точку покоя А и любую из двух других А' или А''.
Рис.12 Линии нагрузки для постоянного и переменного тока по данным примеров 5,6,9.
uК =6,1В, ίк=2,5мА является одной из точек , принадлежащих линии нагрузки для переменного тока. Соединив эту точку с точкой покоя А, получим нагрузочную линию для переменного тока (рис.12).
Нагрузочную линию переменному току можно построить также соединив точку покоя А с точкой А'' с координатами (UК=8,5В; Ік=0,5мА).
Заметим, что линия нагрузки переменному току задаёт размах наибольшего переменного напряжения на коллекторе транзистора. Точка Ах имеет координаты:
UК(Х)=UОК +∆UК=UОК +∆ІОК · RН~ = 7,3В + 1,5мА · 1,2кОм=9,1В ; ІК=0.
Размах сигнала uкm=UКХ – UОК=9,1–7,3=1,8В. В данном случае ограничение амплитуды сигнала произойдет в точке Ах. При малой величине напряжения покоя UОК на коллекторе транзистора ограничение может возникать слева (при uк=0).При проектировании оконечных каскадов приходится решать задачу выбора точки покоя, чтобы получить максимальное неискажённое напряжение сигнала (слева и справа).
Только после того, как в усилителе создан необходимый режим на постоянном токе
14 10 2014
1 стр.
Изучить свойства биполярного транзистора путем снятия входных и выходных характеристик
14 10 2014
1 стр.
Образовательная: раскрыть взаимозависимость силы тока, напряжения и сопротивления на участке электрической цепи
12 10 2014
1 стр.
Образовательная: раскрыть взаимозависимость силы тока, напряжения и сопротивления на участке электрической цепи
12 10 2014
1 стр.
Указать порядок нуклеотидов в участке цепи днк, образующейся путем самокопирования с матричной цепи …цаццгтацагаатцгцтгат…
10 10 2014
1 стр.
Соблюдение режима питания – одно из необходимых условий рационального питания. Важно не только что и сколько мы едим, также когда и как часто
06 10 2014
1 стр.
«Практикум по радиоэлектронике», «Радиопрактикум», "Аналоговые цепи и сигналы", "Цифровые цепи и сигналы", "Физическая электроника", "Основы теории колебаний", "Статистическая ради
02 10 2014
1 стр.
На рис. 2 приведена электрическая схема нелинейной электрической цепи, а в табл. 4-9 – данные по элементам цепи и питающему напряжению U0 в соответствии с номером личного варианта
11 10 2014
1 стр.