Программа практикума по нанотехнологии (осенний семестр)

Программа практикума по нанотехнологии (осенний семестр)

Введение.
Вводная лекция. Работа скрайбера, подготовка подложек к работе.
Термическое напыление изолятора.
Вводная лекция – принципы фотолитографии (прямая и обратная), термическое испарение из трубочек.
Практическая часть – подготовка подложек с фоторезистивной маской (чистый кремний), напыление оксида кремния на ВУП-5, Lift-off.
Термическое напыление алюминия с проволоки. Принцип действия оптического интерферометра.
Вводная лекция – принцип действия оптического интерферометра.
Практическая часть – напыление Al с проволоки на образцы с работы 2, измерение толщины слоя SiO при помощи интерферометра. Теоретическая оценка толщины пленки.
Фотолитография - экспонирование. (Пн.)
Вводная лекция – порядок работы с установкой фотолитографии без совмещения. Правила техники безопасности при работе с установкой.
Практическая часть – фотолитография произвольного шаблона (нижний Nb) на подложку, запыленную Nb, для дальнейшего lift-off свинца (3 образца на чел.).
Термическое напыление из лодочки. Lift-off слоя Pb. (Вт., подряд)
Вводная лекция – порядок напыления из лодочки. Работа с аналитическими весами. Использование диметилформаммида при lift-off, техника безопасности.
Практическая часть – взвесить порцию Pb, напылить, сделать lift-off, измерить толщину.
Магнетронное напыление.
Вводная лекция – принцип работы магнетрона и ВЧ-катода. Устройство установки магнетронного напыления. Порядок действий при напылении Nb.
Практическая часть – напыление Nb (2-3 операции на чел.)
Прямая фотолитография, хим. травление.
Вводная лекция – принцип прямой фотолитографии, различные способы травления (мокрая химия, RIE), вопрос о краях маски и слоя (возможно Т. Голикова). Правила техники безопасности при работе с химией.
Практическая часть – формирование геометрии слоев Nb на двух подложках.
Фотолитография с совмещением.
Вводная лекция – принцип построения SIS-контакта в поперечной геометрии, знаки совмещения, порядок действий при совмещении конкретных рисунков.
Практическая часть – фотолитография слоя SiO (2 подл. на чел.).
Формирование слоя изолятора.
Вводная лекция –выбор толщины слоя изолятора.
Практическая часть – напыление SiO, lift-off. (оценка)
Фотолитография верхнего электрода.
Практическая часть – фотолитография верхнего электрода.
Формирование верхнего электрода.
Вводная лекция – выбор толщины, массы и времени окисления.
Практическая часть – ВЧ-травление, окисление на воздухе, осаждение Pb, lift-off. По одному, 1 подложка на чел., 1 запасная.
Низкотемпературные измерения.
Вводная лекция – устройство криостата, принцип заливки гелия, принцип измерений в вакуумированном стакане при высоких и низких температурах. Эффект Джозефсона, особенности измерения SIS-контактов, общий вид вольт-амперных характеристик SIS- и SNS-контактов.
Практическая часть – измерения ВАХ и температурной зависимости критического тока.