Разработка лавинных полупроводниковых фотодиодов с поверхностным переносом заряда

ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ НИР ОГДН ЗА 2000-2004 г.г. ПО ТЕМЕ:
Разработка лавинных полупроводниковых фотодиодов с поверхностным переносом заряда
Номер государственной регистрации: 01.2.00 305508

Срок начала и окончания научно-исследовательской работы: 1998 – 2006 г.г.

Научный руководитель темы: И.М.Железных

- уровень фундаментальных исследований

Результаты исследований, проведенных участниками проекта в последние годы, показали, что созданные ими лавинные фотодиоды по основным параметрам превосходят лучшие зарубежные аналоги лавинных фотодиодов.

Из важных результатов следует отметить:

Разработка, готовая к практическому применению (совместная работа ИЯИ

РАН и ОИЯИ, Дубна)

Разработана и изготовлена действующая линейка фотоприемников на основе лавинных фотодиодов с отрицательной обратной связью, являющаяся прототипом лавинных приборов с зарядовой связью (ПЗС-матриц). Экспериментально осуществлен режим регистрации, хранения и передачи фотосигнала, инициированного единичным фотоном. Создание ПЗС-матриц с внутренним (лавинным) усилением фотосигнала позволит значительно улучшить как качество изображения при слабой освещенности (светимости) объекта, так и скорость обработки (накопления) информации, которые достигнуты современными ПЗС-матрицами.

Z.Ya.Sadygov, Yu.V.Musienko, I.M.Zheleznykh et al., “Super-sensitive avalanche

silicon photodiodes with surface transfer of charge carrier”, Nucl. Instrum. and

Methods in Phys. Res., A 504 (2003) 301-303.

патент РФ № 2212733 от 20 сентября 2003 г., приоритет от 22.03.2002,

патентообладатели: Институт ядерных исследований РАН и Объединенный

институт ядерных исследований.

- число публикаций

1 публикация в российском журнале,

2 публикации в международных журналах,

1 патент,

1 публикация в трудах международных конференций.

3 - оснащённость современным научным оборудованием

Оптический стенд на основе спектрометра для испытаний фотоприемников и сцинтилляторов.

4. - наличие уникальных установок

5. - участие в международных научных проектах

6. - кадровый и возрастной состав

7. - премии за научные работы

8. - участие в образовательном процессе

9. - участие в грантах

Грант РФФИ № 04-02-08193_офи (2004-2005 г.г.), “Разработка нового поколения детекторов электромагнитных и ядерных излучений на основе сверхчувствительных полупроводниковых лавинных фотодиодов с поверхностным переносом заряда”.
Грант ИНТАС № 04-78-6839, “Сверхбыстрые позиционно-чувствительные детекторы на основе новых лавинных микро-пиксельных фотодиодов…”

10. - участие в обеспечении безопасности страны

11. - бюджет –базовый и внебюджетный

12. - роль, как “центра кристаллизации”

13. – что ещё особо важного считаете целесообразным сообщить.