Московский государственный институт электроники и математики
(Технический университет)
Кафедра “Электроника и электротехника”
КУРСОВАЯ РАБОТА
на тему
«ТТЛ со сложным инвертором»
Вариант 10
Выполнил:
Соболев А.А.
Руководитель:
Самбурский Л.М.
Москва 2012
Задание:
-
Описать принцип работы схемы -
Выбрать и описать технологию изготовления схемы -
Нарисовать топологию и разрез элементов в схеме -
Рассчитать параметры элементов в схеме -
С помощью программы SPICE рассчитать:
А) передаточную характеристику схемы
Б) переходную характеристику схемы, время фронтовок и задержек схемы
В) статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой
-
Нарисовать топологию всей схемы -
Сравнить параметры разработанной схемы с промышленными аналогами
Принцип работы схемы:
ТТЛ со сложным инвертором реализует логическую функцию И-НЕ.
|
Вх1 |
Вх2 |
Режим работы тр-ров. |
вых. | |||
|
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Т4 |
| ||
|
0 |
0 |
нас. |
отс. |
н.а. |
отс. |
1 |
|
0 |
1 |
нас. |
отс. |
н.а. |
отс. |
1 |
|
1 |
0 |
нас. |
отс. |
н.а. |
отс. |
1 |
|
1 |
1 |
н.а. |
нас. |
отс. |
нас. |
0 |
Технология изготовления БТ:
Окисление подложки р-типа.
Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.
Эпитаксиальное осаждение n-слоя, окисление.
Фотолитография под изолятор, диффузионное легирование р+ областей изолятора.
Окисление. Фотолитография, ионная имплантация р-слоя.
Окисление. Фотолитография под базу и эмиттер, диффузионное легирование n+ областей.
Нанесение металла.
Фотолитография по металлу.
