Flatik.ru

Перейти на главную страницу

Поиск по ключевым словам:

страница 1
МИНИСТЕРСТВО оБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Московский государственный институт электроники и математики

(Технический университет)

Кафедра “Электроника и электротехника”



КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему


«ТТЛ со сложным инвертором»

Вариант 10


Выполнил:


Соболев А.А.
Руководитель:
Самбурский Л.М.

Москва 2012


Задание:

  1. Описать принцип работы схемы

  2. Выбрать и описать технологию изготовления схемы

  3. Нарисовать топологию и разрез элементов в схеме

  4. Рассчитать параметры элементов в схеме

  5. С помощью программы SPICE рассчитать:

А) передаточную характеристику схемы

Б) переходную характеристику схемы, время фронтовок и задержек схемы

В) статическую и динамическую мощности, потребляемые схемой


  1. Нарисовать топологию всей схемы

  2. Сравнить параметры разработанной схемы с промышленными аналогами


Принцип работы схемы:
ТТЛ со сложным инвертором реализует логическую функцию И-НЕ.


Вх1

Вх2

Режим работы тр-ров.

вых.

Т1

Т2

Т3

Т4




0

0

нас.

отс.

н.а.

отс.

1

0

1

нас.

отс.

н.а.

отс.

1

1

0

нас.

отс.

н.а.

отс.

1

1

1

н.а.

нас.

отс.

нас.

0



Технология изготовления БТ:
Окисление подложки р-типа.


Фотолитография под скрытый слой, ионная имплантация n+ скрытого слоя.

c:\users\link_pro\documents\media\image5.jpeg

Эпитаксиальное осаждение n-слоя, окисление.



c:\users\link_pro\documents\media\image6.jpeg

Фотолитография под изолятор, диффузионное легирование р+ областей изолятора.



c:\users\link_pro\documents\media\image7.jpeg

Окисление. Фотолитография, ионная имплантация р-слоя.



c:\users\link_pro\documents\media\image8.jpeg

Окисление. Фотолитография под базу и эмиттер, диффузионное легирование n+ областей.



c:\users\link_pro\documents\media\image9.jpeg

Нанесение металла.



c:\users\link_pro\documents\media\image10.jpeg

Фотолитография по металлу.



c:\users\link_pro\documents\media\image11.jpeg

Ттл со сложным инвертором

Окисление. Фотолитография под базу и эмиттер, диффузионное легирование n+ областей

24.61kb.

14 12 2014
1 стр.


Расчет характеристик ттл транзистора со сложным инвертором

С помощью программы spise рассчитать входные и выходные характеристики транзистора

93.08kb.

18 12 2014
1 стр.


Расчет характеристик ттл транзистора со сложным инвертором

С помощью программы spise рассчитать входные и выходные характеристики транзистора

63.67kb.

14 12 2014
1 стр.


Снимаем передаточную характеристику ттл ключа. Определяем уровни выходного сигнала u 1 вых и u 0 вых

Снимаем передаточную характеристику ттл ключа. Определяем уровни выходного сигнала U1вых и U0вых

13.54kb.

23 09 2014
1 стр.


Коммюнике по итогам очередного заседания российско-польской Группы по сложным вопросам (Рига, 1 июня 2011) Накануне международной конференции «Польша, Россия, Европа: от войны к миру»

Ого договора, состоялось заседание российско-польской Группы по сложным вопросам. Предметом переговоров была оценка деятельности группы за полугодие, прошедшее с последней сессии Г

24.48kb.

12 09 2014
1 стр.


Типология уроков

Изучение сущности и структуры урока приводит, к выводу, что урок является сложным педагогическим объектом. Как и всякие сложные объекты

294.33kb.

13 10 2014
1 стр.


Лекции «Визуальная планиметрия»

Однако, в некоторых случаях материал, изложенный в учебных пособиях, оказывается сложным для детского восприятия. В результате не всё понимается и усваивается, у многих снижается и

59.94kb.

14 10 2014
1 стр.


Реферат по дисциплине «Топографическая анатомия»

Каждая хирургическая операция сопровождается сложным комплексом нарушений физиологических функций организма. Поэтому при подготовке к операции и выполнении ее принимают меры к но

145.89kb.

09 09 2014
1 стр.