Вопросы по курсу «Микроэлектроника»

1. 
   Основные понятия и определения
   
2. 
   Преимущества и недостатки микроэлектроники
   
3. 
   Классификация интегральных микросхем (ИМС)
   
4. 
   Свойства полупроводников, важные для микроэлектроники
   
5. 
   Примеси в полупроводниках
   
6. 
   Носители заряда в полупроводниках. Дрейф и диффузия.
   
7. 
   Температурные зависимости концентрации носителей заряда, подвижности и проводимости.
   
8. 
   Эффекты сильного поля в полупроводниках. Поверхностные состояния.
   
9. 
   Электронно-дырочный переход. Основные параметры.
   
10. 
    Барьерная и диффузионная емкость перехода. Возможное использование в микроэлектронике.
    
11. 
    Электрон-электронный переход. Влияние на временные параметры микроэлектронных структур.
    
12. 
    Контакт металл-полупроводник
    
13. 
    Омический контакт
    
14. 
    Гетеропереход. Эффекты в гетероструктурах.
    
15. 
    Полупроводниковые диодные структуры.
    
16. 
    Пробой диода. Методы борьбы с пробоем.
    
17. 
    Выпрямительные диодные структуры. Параметры и применение.
    
18. 
    Специализированные виды диодных структур.
    
19. 
    Биполярные транзисторные (БПТ) структуры. Принцип работы и параметры.
    
20. 
    Схемы включения БПТ.
    
21. 
    Работа БПТ-структур в активном режиме, режимах насыщения и отсечки.
    
22. 
    Статические параметры БПТ
    
23. 
    Характеристики БПТ
    
24. 
    Пробой БПТ-структур. Методы повышения пробивного напряжения.
    
25. 
    Типы и классификация БПТ-структур.
    
26. 
    Работа БПТ в импульсном режиме.
    
27. 
    Мощные БПТ-структуры
    
28. 
    Применение БПТ в качестве ключа и усилителя.
    
29. 
    Тиристорные структуры.
    
30. 
    Структуры и параметры МДП-транзисторов (МДПТ) с управляющим переходом.
    
31. 
    Структуры и параметры МДПТ с изолированным затвором.
    
32. 
    Элементы интегральных схем. Классификация.
    
33. 
    Диффузионный и эпитаксиально-диффузионный интегральный БПТ
    
34. 
    БПТ с подлегированным слоем
    
35. 
    Горизонтальный (боковой) БПТ
    
36. 
    Многоэмиттерный и многоколлекторный ИБПТ
    
37. 
    БПТ с диодом Шоттки
    
38. 
    Интегральные МДПТ
    
39. 
    Комплементарные МДПТ
    
40. 
    Интегральные структуры, содержащие МДПТ и БПТ на одном кристалле
    
41. 
    Интегральный полевой транзистор с диодом Шоттки
    
42. 
    Транзисторная гетероструктура. Полевой гетеротранзистор.
    
43. 
    V-МДП
    
44. 
    Интегральные диоды
    
45. 
    Интегральные стабилитроны и диоды Шоттки
    
46. 
    Диффузионные резисторы
    
47. 
    Ионно-легированные резисторы
    
48. 
    Пленочные резисторы
    
49. 
    Диффузионные конденсаторы
    
50. 
    МДП-конденсаторы
    
51. 
    Интегральные пленочные конденсаторы
    
52. 
    Интегральные индуктивности
    
53. 
    Методы изоляции элементов ИМС
    
54. 
    Изоляции элементов ИМС обратносмещенным переходом. Применение диффузионных методов.
    
55. 
    Диэлектрическая изоляция
    
56. 
    Структуры «кремний на изоляторе»
    
57. 
    Изопланарная технология
    
58. 
    Изоляция V- и U-канавками
    
59. 
    Технология изготовления ИМС. Технологические процессы.
    
60. 
    Кремний как основа современных ИМС
    
61. 
    Выращивание и очистка кристаллов кремния
    
62. 
    Определение ориентации поверхности кремниевой пластины
    
63. 
    Резка полупроводниковых пластин
    
64. 
    Скрайбирование и разделение на кристаллы
    
65. 
    Механические шлифовка и полировка полупроводниковых пластин
    
66. 
    Жидкостная обработка поверхности полупроводниковых пластин
    
67. 
    Сухая обработка поверхности полупроводниковых пластин
    
68. 
    Очистка поверхности полупроводниковых пластин
    
69. 
    Методы литографии. Параметры и сравнение.
    
70. 
    Фотолитография
    
71. 
    Электронная литография
    
72. 
    Рентгенолитография
    
73. 
    Ионная литография
    
74. 
    Лазерная литография
    
75. 
    Нанесение тонких пленок
    
76. 
    Эпитаксия
    
77. 
    Методы легирования
    
78. 
    Диффузия
    
79. 
    Ионная имплантация
    
80. 
    Методы создания оксидных пленок
    
81. 
    Металлизация
    
82. 
    Сборка ИМС
    
83. 
    Технологический маршрут создания ИМС
    
84. 
    Технологический процесс создания ПТШ ИМС
    
85. 
    Технологический процесс создания тонкопленочных резисторов
    
86. 
    Монтаж навесных элементов в гибридных интегральных схемах
    
87. 
    Технологический процесс создания толстопленочных гибридных интегральных схем
    
88. 
    Логические операции и логические элементы
    
89. 
    Логические схемы на биполярных транзисторах
    
90. 
    Транзисторная логика с непосредственной связью
    
91. 
    РТЛ
    
92. 
    РЕТЛ
    
93. 
    Интегральная инжекционная логика
    
94. 
    ДТЛ
    
95. 
    ТТЛ
    
96. 
    ТТЛ с диодами Шоттки
    
97. 
    Переключатель тока и ЭСЛ
    
98. 
    МДП-транзисторные ключи
    
99. 
    Транзисторная логика на МДП.
    
100. 
     Транзисторная логика на КМДП.
     
101. 
     КМДП-ключ коммутации
     
102. 
     Синхронная и динамическая МДПТЛ
     
103. 
     БиКМДП
     
104. 
     МЕПТЛ
     
105. 
     Сравнение логических схем
     
106. 
     Бистабильная ячейка
     
107. 
     RS-триггер
     
108. 
     Триггер Шмидта
     
109. 
     RS-триггер на ИЛИ-НЕ и И-НЕ логических схемах
     
110. 
     RSТ-триггер
     
111. 
     Т-триггер
     
112. 
     JK-триггер
     
113. 
     Схемы памяти. ОЗУ.
     
114. 
     Запоминающие ячейки ОЗУ
     
115. 
     Диодное ПЗУ
     
116. 
     Транзистор с плавающим затвором.
     
117. 
     Виды ПЗУ. Флэш-память.
     
118. 
     Микропроцессоры. Архитектура и параметры.
     
119. 
     Операционные усилители.
     
120. 
     Схемы включения операционных усилителей.