Н.А. СЕМЕНОВ

Научные руководители – И.С. ВАСИЛЬЕВСКИЙ, к.ф.-м.н.

– Д.С. ПОНОМАРЕВ, аспирант

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
ПРОФИЛИ РАССЕЯНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОЕ
РЕЗИСТ/ПОДЛОЖКА ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ
ЭКСПОНИРОВАНИИ
Проведено моделирование процесса экспонирования в электронно-лучевой литографии. Получена модельная зависимость максимальной глубины проникновения электронов в систему резист/подложка в зависимости от ускоряющего напряжения U_E.H.T.. Установлено, что для U_E.H.T. = 5÷30 кэВ, глубина проникновения линейно зависит от ускоряющего напряжения.
В данной работе представлены результаты моделирования процесса экспонирования в электронно-лучевой литографии.

Целью работы является построение зависимости максимальной глубины проникновения электронов в систему резист/подложка (PMMA/Si) и оптимизация входных параметров при проведении процесса экспонирования для предотвращения стеклования резиста.

Моделирование проводилось методом Монте-Карло в рамках модели индивидуальных столкновений и непрерывных потерь [1]. В качестве генератора случайных чисел использован модифицированный вихрь Мерсенна. Дифференциальное сечение рассеяния электронов в веществе рассчитывалось по формуле Резерфорда с параметром экранирования в приближении Мольер [2] с линейной плотностью потерь энергии [1].

Были получены энергетические профили рассеянных электронов для двух толщин слоя резиста (200 и 400 нм) и ускоряющего напряжения U_E.H.T. = 5 ÷ 30 кВ. На основе полученных данных была построена зависимость глубины максимального проникновения электронов в систему резист/подложка. Был установлен линейный характер данной зависимости, что кардинально отличается от формулы Канайа-Окаяма (Z~E^5/3), что объясняется учетом экранирующего потенциала и неупорядоченности полимера.

Список литературы

1. 
   Валиев К.А., Физика субмикронной литографии, М.: Наука, 1990.
   

2. Аккерман А.Ф., Моделирование траекторий заряженных частиц, М.: Энергоатомиздат, 1991.